刻蚀沟槽多晶硅栅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110340515.2

申请日：

2011-11-01

公开(公告)号：

CN103094087B

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

金勤海周颖康志潇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

张骥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	授权	授权
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101467933474 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103405152 申请日:20111101
2013-05-08	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689695953 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2011103405152 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[2]

沟槽多晶硅栅的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

石磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465350A ,2015-03-25

[3]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[4]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[5]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[6]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[7]

T型多晶硅栅电极的制备方法 [P].

陈福成 ;

朱骏 .

中国专利 :CN101431020B ,2009-05-13

[8]

多晶硅栅切割方法 [P].

陈品翰 ;

吴华峰 .

中国专利 :CN114899148A ,2022-08-12

[9]

制备多厚度的多晶硅栅极的方法 [P].

周维 ;

范永洁 ;

魏峥颖 .

中国专利 :CN102456562A ,2012-05-16

[10]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

张松 .

中国专利 :CN108269739B ,2018-07-10

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