多晶硅栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010265303.8

申请日：

2010-08-26

公开(公告)号：

CN102376756A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

刘继全彭虎

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2128 H01L21283

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689697146 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2010102653038 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231929653 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2010102653038 申请日:20100826
2014-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[2]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[3]

降低多晶硅栅极电阻的方法 [P].

王雷 .

中国专利 :CN102208341A ,2011-10-05

[4]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

张松 .

中国专利 :CN108269739B ,2018-07-10

[5]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

樊杨 ;

肖莉 ;

孟增 .

中国专利 :CN103377901A ,2013-10-30

[6]

制备多厚度的多晶硅栅极的方法 [P].

周维 ;

范永洁 ;

魏峥颖 .

中国专利 :CN102456562A ,2012-05-16

[7]

多晶硅栅极掺杂方法 [P].

朱蓓 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN1889236A ,2007-01-03

[8]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[9]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[10]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

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