多晶硅栅极刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210388740.8

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN102881578B

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

唐在峰方超吕煜坤张旭昇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401527362 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012103887408 申请日:20121012
2013-01-16	公开	公开
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[2]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[3]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[4]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[5]

多晶硅栅极掺杂方法 [P].

朱蓓 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN1889236A ,2007-01-03

[6]

一种多晶硅栅极刻蚀的方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101442001A ,2009-05-27

[7]

改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法 [P].

束伟夫 ;

唐在峰 ;

方超 ;

任昱 ;

张旭升 .

中国专利 :CN103346075A ,2013-10-09

[8]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[9]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[10]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

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