多晶硅栅极的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411004850.9

申请日：

2024-07-24

公开(公告)号：

CN118919405A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

王卉陈广龙李志国曹子贵

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L29/423 H10B80/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20240724

共 50 条

[1]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

熊文娟 ;

李俊峰 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102800574A ,2012-11-28

[2]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[3]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[4]

多晶硅栅极掺杂方法 [P].

朱蓓 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN1889236A ,2007-01-03

[5]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[6]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[7]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[8]

形成T型多晶硅栅极的方法 [P].

陈平人 ;

马惠平 ;

包大勇 ;

叶双凤 .

中国专利 :CN1700420A ,2005-11-23

[9]

启用间隔物的多晶硅栅极 [P].

保罗·菲思特 .

中国专利 :CN105144365A ,2015-12-09

[10]

多晶硅栅的制造方法 [P].

沈冬冬 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN109103086B ,2018-12-28

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