一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610361902.7

申请日：

2016-05-26

公开(公告)号：

CN107437500B

公开(公告)日：

2017-12-05

发明(设计)人：

马万里

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L2949

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

许静;安利霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	公开	公开
2017-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20160526
2021-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[2]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[3]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

[4]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

熊文娟 ;

李俊峰 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102800574A ,2012-11-28

[5]

多晶硅栅极掺杂方法 [P].

朱蓓 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN1889236A ,2007-01-03

[6]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

张松 .

中国专利 :CN108269739B ,2018-07-10

[7]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

唐在峰 ;

方超 ;

吕煜坤 ;

张旭昇 .

中国专利 :CN102881578B ,2013-01-16

[8]

多晶硅栅极刻蚀方法 [P].

许进 ;

唐在峰 ;

昂开渠 .

中国专利 :CN119905395A ,2025-04-29

[9]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

樊杨 ;

肖莉 ;

孟增 .

中国专利 :CN103377901A ,2013-10-30

[10]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

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