多晶硅栅切割方法

被引：0

申请号：

CN202210395911.3

申请日：

2022-04-14

公开(公告)号：

CN114899148A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

陈品翰吴华峰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L29423 H01L2949

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦天雷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅栅极刻蚀工艺 [P].

秦伟 ;

高慧慧 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646860A ,2014-03-19

[2]

多晶硅栅的制造方法 [P].

沈冬冬 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN109103086B ,2018-12-28

[3]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[4]

一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437500B ,2017-12-05

[5]

沟槽多晶硅栅的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

石磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465350A ,2015-03-25

[6]

多晶硅栅表面的清洗方法 [P].

孙震海 ;

韩瑞津 ;

汤志伟 ;

郭国超 .

中国专利 :CN101252083B ,2008-08-27

[7]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[8]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

[9]

形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件 [P].

侯会丹 ;

姚兰 ;

石艳伟 .

中国专利 :CN113809009A ,2021-12-17

[10]

CIS器件的多晶硅栅形成方法 [P].

向超 ;

黄鹏 ;

郭振强 .

中国专利 :CN112420518A ,2021-02-26

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