形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610029904.2

申请日：

2006-08-10

公开(公告)号：

CN101123204A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

刘明源吴汉明郭佳衢郑春生

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249912876 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2006100299042 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111118
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-29	授权	授权
2008-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102157428A ,2011-08-17

[2]

形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 [P].

刘乒 ;

陈海华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101459108A ,2009-06-17

[3]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104091779B ,2014-10-08

[4]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104157601A ,2014-11-19

[5]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

元琳 ;

尹晶磊 .

中国专利 :CN102054733A ,2011-05-11

[6]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[7]

浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构 [P].

居健 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN111354675A ,2020-06-30

[8]

浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

陈建豪 ;

张世勋 ;

杨知一 ;

陈佳麟 ;

李资良 .

中国专利 :CN1779944A ,2006-05-31

[9]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

田俊 ;

黄永彬 ;

王永刚 .

中国专利 :CN109637973A ,2019-04-16

[10]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103377981B ,2013-10-30

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