形成浅沟槽隔离结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410410384.4

申请日：

2014-08-20

公开(公告)号：

CN104157601A

公开(公告)日：

2014-11-19

发明(设计)人：

鲍宇

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-19	公开	公开
2014-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101591905065 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014104103844 申请日:20140820
2017-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104091779B ,2014-10-08

[2]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104103569A ,2014-10-15

[3]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[4]

浅沟槽隔离的工艺方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078409A ,2014-10-01

[5]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078411A ,2014-10-01

[6]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[7]

浅沟槽隔离工艺 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078412A ,2014-10-01

[8]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102157428A ,2011-08-17

[9]

形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法 [P].

刘乒 ;

陈海华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101459108A ,2009-06-17

[10]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103377981B ,2013-10-30

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