形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610029904.2

申请日：

2006-08-10

公开(公告)号：

CN101123204A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

刘明源吴汉明郭佳衢郑春生

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249912876 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2006100299042 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111118
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-29	授权	授权
2008-02-13	公开	公开

共 50 条

[41]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

雷强 ;

沈亮 ;

高喜峰 .

中国专利 :CN102456606A ,2012-05-16

[42]

制作沟槽和浅沟槽隔离结构的方法 [P].

赵林林 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN102299112B ,2011-12-28

[43]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

李亮 ;

何永根 ;

涂火金 .

中国专利 :CN102468211B ,2015-01-21

[44]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104103516B ,2014-10-15

[45]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[46]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

刘石香 .

中国专利 :CN101312147A ,2008-11-26

[47]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN103531521A ,2014-01-22

[48]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

林竞尧 ;

肖春光 .

中国专利 :CN101197304A ,2008-06-11

[49]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

蔡毅 ;

倪立华 .

中国专利 :CN107799460A ,2018-03-13

[50]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

刘丽媛 ;

孙文彦 ;

陶骞 .

中国专利 :CN113299597A ,2021-08-24

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