浅沟槽隔离的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710041106.6

申请日：

2007-05-23

公开(公告)号：

CN101312147A

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

刘石香

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李文红

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101264129167 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2007100411066 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111205
2009-09-09	授权	授权
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

郭得亮 .

中国专利 :CN101330037A ,2008-12-24

[2]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 ;

朴松源 ;

方标 .

中国专利 :CN100483669C ,2008-04-02

[3]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[4]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100576491C ,2008-12-24

[5]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[6]

浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN103390574B ,2013-11-13

[7]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103515281A ,2014-01-15

[8]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

刘兵武 .

中国专利 :CN101989565A ,2011-03-23

[9]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

郭国超 .

中国专利 :CN101930941A ,2010-12-29

[10]

浅沟槽隔离层的制造方法 [P].

龚昌鸿 ;

陈建勋 ;

于明非 .

中国专利 :CN110148579A ,2019-08-20

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