浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210147848.8

申请日：

2012-05-11

公开(公告)号：

CN103390574B

公开(公告)日：

2013-11-13

发明(设计)人：

周晓君

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-05	授权	授权
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101550526774 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012101478488 申请日:20120511
2013-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103456673B ,2013-12-18

[2]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

刘石香 .

中国专利 :CN101312147A ,2008-11-26

[3]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

郭得亮 .

中国专利 :CN101330037A ,2008-12-24

[4]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 ;

朴松源 ;

方标 .

中国专利 :CN100483669C ,2008-04-02

[5]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078411A ,2014-10-01

[6]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

熊涛 ;

罗啸 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN102593038A ,2012-07-18

[7]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

曾绍海 .

中国专利 :CN103730404A ,2014-04-16

[8]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN102655111A ,2012-09-05

[9]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

王冬江 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102867774A ,2013-01-09

[10]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

宋箭叶 .

中国专利 :CN108091608B ,2018-05-29

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