浅沟槽隔离结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710042344.9

申请日：

2007-06-21

公开(公告)号：

CN100576491C

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

刘永肖德元

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李文红

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20070621 授权公告日:20091230 终止日期:20180621
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101259717182 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2007100423449 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111130
2009-12-30	授权	授权
2008-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[2]

浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构 [P].

陈宏玮 ;

杨子亿 ;

陈文俊 ;

曹平 .

中国专利 :CN111933570B ,2020-11-13

[3]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 ;

朴松源 ;

方标 .

中国专利 :CN100483669C ,2008-04-02

[4]

浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101783313A ,2010-07-21

[5]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN101740459A ,2010-06-16

[6]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

刘石香 .

中国专利 :CN101312147A ,2008-11-26

[7]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

郭得亮 .

中国专利 :CN101330037A ,2008-12-24

[8]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103515281A ,2014-01-15

[9]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

刘兵武 .

中国专利 :CN101989565A ,2011-03-23

[10]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

邵群 .

中国专利 :CN102693932B ,2012-09-26

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