浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011069600.5

申请日：

2020-10-09

公开(公告)号：

CN111933570B

公开(公告)日：

2020-11-13

发明(设计)人：

陈宏玮杨子亿陈文俊曹平

申请人：

申请人地址：

102199 北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L218238 H01L27092

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

夏苗苗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权
2020-11-13	公开	公开
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20201009

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[2]

浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构 [P].

居健 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN111354675A ,2020-06-30

[3]

形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构 [P].

韩秋华 ;

陈海华 ;

张世谋 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101673701A ,2010-03-17

[4]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

元琳 ;

尹晶磊 .

中国专利 :CN102054733A ,2011-05-11

[5]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100576491C ,2008-12-24

[6]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[7]

浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

陈建豪 ;

张世勋 ;

杨知一 ;

陈佳麟 ;

李资良 .

中国专利 :CN1779944A ,2006-05-31

[8]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102157428A ,2011-08-17

[9]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 ;

朴松源 ;

方标 .

中国专利 :CN100483669C ,2008-04-02

[10]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

刘兵武 .

中国专利 :CN101989565A ,2011-03-23

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