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浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811574400.8
申请日：
2018-12-21
公开(公告)号：
CN111354675A
公开(公告)日：
2020-06-30
发明(设计)人：
居健
陈爱军
申请人：
申请人地址：
201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;陈丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-06-30 | 公开 | 公开 |
| 2020-07-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20181221 |