浅沟槽隔离的形成方法及浅沟槽隔离结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610119147.8

申请日：

2006-12-05

公开(公告)号：

CN101197306A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

刘明源石磊张文广郑春生

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2131 H01L2702

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101239706570 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2006101191478 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111109
2019-11-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20061205 授权公告日:20090722 终止日期:20181205
2008-06-11	公开	公开
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构 [P].

居健 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN111354675A ,2020-06-30

[2]

形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构 [P].

韩秋华 ;

陈海华 ;

张世谋 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101673701A ,2010-03-17

[3]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN102487032A ,2012-06-06

[4]

浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

陈建豪 ;

张世勋 ;

杨知一 ;

陈佳麟 ;

李资良 .

中国专利 :CN1779944A ,2006-05-31

[5]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[6]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

林竞尧 ;

肖春光 .

中国专利 :CN101197304A ,2008-06-11

[7]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

田守卫 ;

胡海天 ;

章盟狄 ;

李正阶 .

中国专利 :CN114256132A ,2022-03-29

[8]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

徐伟中 .

中国专利 :CN104637881A ,2015-05-20

[9]

浅沟槽隔离的形成方法 [P].

肖敬才 ;

邱元元 ;

郭振强 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN112928059A ,2021-06-08

[10]

浅沟槽隔离形成方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102263052B ,2011-11-30

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