浅沟槽隔离结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110728184.3

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN113299597A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

刘丽媛孙文彦陶骞

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2711524

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210629

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104103569A ,2014-10-15

[2]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[3]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN103021924A ,2013-04-03

[4]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104091779B ,2014-10-08

[5]

形成浅沟槽隔离结构的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104157601A ,2014-11-19

[6]

浅沟槽隔离的形成方法 [P].

肖敬才 ;

邱元元 ;

郭振强 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN112928059A ,2021-06-08

[7]

形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构 [P].

刘明源 ;

吴汉明 ;

郭佳衢 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101123204A ,2008-02-13

[8]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

田俊 ;

黄永彬 ;

王永刚 .

中国专利 :CN109637973A ,2019-04-16

[9]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103377981B ,2013-10-30

[10]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

蒲贤勇 ;

陈轶群 ;

陈宗高 .

中国专利 :CN104347473A ,2015-02-11

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