浅沟槽隔离结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210564157.8

申请日：

2012-12-21

公开(公告)号：

CN103021924A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

熊磊奚裴

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752696863 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012105641578 申请公布日:20130403
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700513268 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012105641578 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583992472 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012105641578 申请日:20121221

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

陈海华 ;

黄怡 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101459106A ,2009-06-17

[2]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

李娜 ;

刘轩 ;

陈超 .

中国专利 :CN105097643B ,2015-11-25

[3]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103377981B ,2013-10-30

[4]

浅沟槽隔离结构及其形成方法 [P].

蒲贤勇 ;

陈轶群 ;

陈宗高 .

中国专利 :CN104347473A ,2015-02-11

[5]

浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

李亮 ;

何永根 ;

涂火金 .

中国专利 :CN102468211B ,2015-01-21

[6]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

蔡毅 ;

倪立华 .

中国专利 :CN107799460A ,2018-03-13

[7]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

王飞飞 ;

张继亮 ;

李小康 ;

王裕晓 .

中国专利 :CN113223995A ,2021-08-06

[8]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

杨芸 .

中国专利 :CN104103571B ,2014-10-15

[9]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张翼英 .

中国专利 :CN103811403B ,2014-05-21

[10]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

王硕 ;

许忠义 .

中国专利 :CN103050431A ,2013-04-17

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