基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510551408.2

申请日：

2015-09-01

公开(公告)号：

CN106486363A

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

孙钱周宇李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L2102 H01L213065

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710769559 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2015105514082 申请日:20150901

共 50 条

[1]

基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法 [P].

周宇 ;

孙钱 ;

李水明 ;

陈小雪 ;

戴淑君 ;

高宏伟 ;

冯美鑫 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106549048B ,2017-03-29

[2]

III族氮化物增强型HEMT及其制备方法 [P].

孙钱 ;

周宇 ;

李水明 ;

戴淑君 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106033724A ,2016-10-19

[3]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158949A ,2016-11-23

[4]

二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT [P].

于国浩 ;

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106298903A ,2017-01-04

[5]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

张宝顺 ;

宋亮 ;

张晓东 ;

于国浩 .

中国专利 :CN112289860B ,2024-06-14

[6]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

张宝顺 ;

宋亮 ;

张晓东 ;

于国浩 .

中国专利 :CN112289860A ,2021-01-29

[7]

增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法 [P].

任远 ;

程川 ;

陈志涛 ;

刘宁炀 ;

赵维 ;

姜南 .

中国专利 :CN112736137A ,2021-04-30

[8]

III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

高宏伟 ;

苏帅 ;

周宇 ;

詹晓宁 ;

刘建勋 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115692491B ,2025-08-15

[9]

III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

高宏伟 ;

苏帅 ;

周宇 ;

詹晓宁 ;

刘建勋 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115692491A ,2023-02-03

[10]

二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT [P].

于国浩 ;

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106206309A ,2016-12-07

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