具有双重质量块和集成式阻尼结构的多轴惯性传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610537705.6

申请日：

2016-07-08

公开(公告)号：

CN106370889A

公开(公告)日：

2017-02-01

发明(设计)人：

汤俊阿龙·A·盖斯贝格尔玛格丽特·L·克尼芬

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

G01P15125

IPC分类号：

G01P1518 B81B300 B81B500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王洵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/125 申请日:20160708
2017-10-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):G01P 15/125 登记生效日:20170928 变更事项:申请人变更前权利人:飞思卡尔半导体公司变更后权利人:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国得克萨斯州变更后权利人:美国德克萨斯州
2020-01-31	授权	授权
2017-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具有单个检验质量块和多感测轴能力的惯性传感器 [P].

安德鲁·C·麦克尼尔 .

中国专利 :CN110426534A ,2019-11-08

[2]

具有集成阻尼结构的惯性传感器 [P].

汤俊 .

中国专利 :CN112525181A ,2021-03-19

[3]

具有集成阻尼结构的惯性传感器 [P].

汤俊 .

美国专利 :CN112525181B ,2025-09-30

[4]

单质量块平面三轴MEMS惯性传感器及其制备方法 [P].

赵成 ;

杨义军 ;

朱骏 ;

郭鹏飞 ;

王健 .

中国专利 :CN111333021B ,2020-06-26

[5]

一种单锚定点四质量块MEMS六轴惯性传感器 [P].

周斌 ;

张嵘 ;

张天 ;

陈志勇 .

中国专利 :CN106932609B ,2017-07-07

[6]

具有嵌套激振体质量块的惯性传感器和用于制造这样的传感器的方法 [P].

A·金洛伊 ;

P·恩夫罗伊 .

中国专利 :CN105917193B ,2016-08-31

[7]

全质量块MEMS惯性传感器及其制备方法 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 ;

蔡喜元 ;

魏晓莉 ;

贾蔓谷 ;

丁铮 .

中国专利 :CN118164424A ,2024-06-11

[8]

单测试质量块的三轴MEMS传感器 [P].

安德鲁·C·麦克尼尔 ;

加里·G·李 ;

小丹尼尔·N·库里 .

中国专利 :CN100437118C ,2006-08-09

[9]

多轴原子惯性传感器系统 [P].

R.坎普顿 ;

B.摩尔 ;

N.C.小奇里洛 .

中国专利 :CN103542850A ,2014-01-29

[10]

微机电惯性传感器和用于运行微机电惯性传感器的方法 [P].

B·库尔曼 ;

T·巴尔斯林科 .

德国专利 :CN120538497A ,2025-08-26

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