单质量块平面三轴MEMS惯性传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010135105.3

申请日：

2020-03-02

公开(公告)号：

CN111333021B

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

赵成杨义军朱骏郭鹏飞王健

申请人：

申请人地址：

225000 江苏省扬州市开发区大学南路88号

IPC主分类号：

B81B702

IPC分类号：

B81B300 B81C100 G01C195656 G01C2118 G01P15125

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

董旭东;陈栋智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	授权	授权
2020-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/02 申请日:20200302
2020-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

单质量块三轴MEMS陀螺及其制备方法 [P].

赵成 ;

杨义军 ;

朱骏 ;

郭鹏飞 ;

王健 .

中国专利 :CN111272162B ,2020-06-12

[2]

单质量块三轴MEMS惯性加速度计及其制备方法 [P].

赵成 ;

杨义军 ;

朱骏 ;

郭鹏飞 ;

王健 .

中国专利 :CN111323616B ,2020-06-23

[3]

全质量块MEMS惯性传感器及其制备方法 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 ;

蔡喜元 ;

魏晓莉 ;

贾蔓谷 ;

丁铮 .

中国专利 :CN118164424A ,2024-06-11

[4]

低深宽比的单质量块三轴MEMS惯性加速度计及其制备方法 [P].

赵成 ;

杨义军 ;

朱骏 ;

郭鹏飞 ;

王健 .

中国专利 :CN111289772B ,2020-06-16

[5]

单测试质量块的三轴MEMS传感器 [P].

安德鲁·C·麦克尼尔 ;

加里·G·李 ;

小丹尼尔·N·库里 .

中国专利 :CN100437118C ,2006-08-09

[6]

一种单锚定点四质量块MEMS六轴惯性传感器 [P].

周斌 ;

张嵘 ;

张天 ;

陈志勇 .

中国专利 :CN106932609B ,2017-07-07

[7]

电容式单质量块三轴加速度传感器及制备方法 [P].

李刚 ;

胡维 .

中国专利 :CN101386400B ,2009-03-18

[8]

一种三轴MEMS惯性传感器 [P].

黄晟 ;

魏晓莉 ;

蔡光艳 ;

罗戴钟 ;

丁铮 ;

蔡喜元 ;

王兵权 .

中国专利 :CN120970637A ,2025-11-18

[9]

MEMS惯性传感器及其形成方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102156203B ,2011-08-17

[10]

制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 [P].

王志玮 ;

唐德明 ;

张镭 ;

毛剑宏 ;

韩凤芹 .

中国专利 :CN103373698A ,2013-10-30

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