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一种三轴MEMS惯性传感器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511501915.5
申请日
:
2025-10-21
公开(公告)号
:
CN120970637A
公开(公告)日
:
2025-11-18
发明(设计)人
:
黄晟
魏晓莉
蔡光艳
罗戴钟
丁铮
蔡喜元
王兵权
申请人
:
武汉衡惯科技发展有限公司
申请人地址
:
430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)
IPC主分类号
:
G01C21/16
IPC分类号
:
B81B7/02
代理机构
:
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
:
吴俣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-05
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G01C 21/16申请日:20251021
2025-11-18
公开
公开
共 50 条
[1]
一种MEMS三轴传感器
[P].
黄晟
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武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
黄晟
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魏晓莉
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武汉衡惯科技发展有限公司
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蔡光艳
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罗戴钟
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罗戴钟
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蔡喜元
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蔡喜元
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王兵权
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武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
王兵权
.
中国专利
:CN120970638A
,2025-11-18
[2]
三轴惯性传感器
[P].
黄晟
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武汉衡惯科技发展有限公司
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罗戴钟
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武汉衡惯科技发展有限公司
武汉衡惯科技发展有限公司
刘玉
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:CN118730093A
,2024-10-01
[3]
一种MEMS惯性传感器
[P].
郑国光
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郑国光
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:CN204555991U
,2015-08-12
[4]
一种MEMS惯性传感器
[P].
黄晟
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武汉衡惯科技发展有限公司
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,2024-09-10
[5]
一种MEMS惯性传感器
[P].
郑国光
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郑国光
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中国专利
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,2015-11-11
[6]
一种MEMS多轴惯性传感器
[P].
黄晟
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丁铮
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,2024-08-09
[7]
一种MEMS惯性双轴传感器
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黄晟
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武汉衡惯科技发展有限公司
沈金龙
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中国专利
:CN119289973A
,2025-01-10
[8]
制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器
[P].
王志玮
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王志玮
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唐德明
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韩凤芹
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韩凤芹
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中国专利
:CN103373698A
,2013-10-30
[9]
三轴MEMS惯性传感器系统级封装单元结构
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孙函子
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庄永河
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沈时俊
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沈时俊
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:CN205898145U
,2017-01-18
[10]
三轴MEMS惯性传感器系统级封装单元结构
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孙函子
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庄永河
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李鸿高
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,2016-06-29
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