一种三轴MEMS惯性传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511501915.5
申请日
2025-10-21
公开(公告)号
CN120970637A
公开(公告)日
2025-11-18
发明(设计)人
黄晟 魏晓莉 蔡光艳 罗戴钟 丁铮 蔡喜元 王兵权
申请人
武汉衡惯科技发展有限公司
申请人地址
430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)
IPC主分类号
G01C21/16
IPC分类号
B81B7/02
代理机构
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人
吴俣
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MEMS三轴传感器 [P]. 
黄晟 ;
魏晓莉 ;
蔡光艳 ;
罗戴钟 ;
丁铮 ;
蔡喜元 ;
王兵权 .
中国专利 :CN120970638A ,2025-11-18
[2]
三轴惯性传感器 [P]. 
黄晟 ;
魏晓莉 ;
周宇 ;
蔡光艳 ;
蔡喜元 ;
丁铮 ;
吴国璋 ;
罗戴钟 ;
刘玉 .
中国专利 :CN118730093A ,2024-10-01
[3]
一种MEMS惯性传感器 [P]. 
郑国光 .
中国专利 :CN204555991U ,2015-08-12
[4]
一种MEMS惯性传感器 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 ;
蔡喜元 ;
魏晓莉 ;
贾蔓谷 ;
丁铮 .
中国专利 :CN221686403U ,2024-09-10
[5]
一种MEMS惯性传感器 [P]. 
郑国光 .
中国专利 :CN204758628U ,2015-11-11
[6]
一种MEMS多轴惯性传感器 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 ;
蔡喜元 ;
魏晓莉 ;
贾蔓谷 ;
丁铮 .
中国专利 :CN118465308A ,2024-08-09
[7]
一种MEMS惯性双轴传感器 [P]. 
黄晟 ;
魏晓莉 ;
周宇 ;
蔡光艳 ;
吴国璋 ;
丁铮 ;
罗戴钟 ;
蔡喜元 ;
刘玉 ;
沈金龙 .
中国专利 :CN119289973A ,2025-01-10
[8]
制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 [P]. 
王志玮 ;
唐德明 ;
张镭 ;
毛剑宏 ;
韩凤芹 .
中国专利 :CN103373698A ,2013-10-30
[9]
三轴MEMS惯性传感器系统级封装单元结构 [P]. 
孙函子 ;
庄永河 ;
尚玉凤 ;
李鸿高 ;
李林森 ;
童洋 ;
王宁 ;
周婷 ;
沈时俊 .
中国专利 :CN205898145U ,2017-01-18
[10]
三轴MEMS惯性传感器系统级封装单元结构 [P]. 
孙函子 ;
庄永河 ;
尚玉凤 ;
李鸿高 ;
李林森 ;
童洋 ;
王宁 ;
周婷 ;
沈时俊 .
中国专利 :CN105716606A ,2016-06-29