一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810198895.2

申请日：

2018-03-12

公开(公告)号：

CN108336157A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

黄海宾周浪袁吉仁高超岳之浩

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310224 H01L31048

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20180312
2020-04-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20180727
2018-07-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构 [P].

袁吉仁 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108336164A ,2018-07-27

[2]

一种晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN209981254U ,2020-01-21

[3]

一种晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108461570A ,2018-08-28

[4]

一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108447935A ,2018-08-24

[5]

一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN208315579U ,2019-01-01

[6]

一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构 [P].

袁吉仁 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108461553A ,2018-08-28

[7]

一种晶硅异质结双面太阳电池结构 [P].

袁吉仁 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108336178A ,2018-07-27

[8]

一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

袁吉仁 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108336155A ,2018-07-27

[9]

一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

袁吉仁 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN210403742U ,2020-04-24

[10]

一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

袁吉仁 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108346706A ,2018-07-31

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