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一种晶体硅双面太阳电池结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810198985.1
申请日
:
2018-03-12
公开(公告)号
:
CN108461570A
公开(公告)日
:
2018-08-28
发明(设计)人
:
高超
周浪
黄海宾
袁吉仁
岳之浩
申请人
:
申请人地址
:
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
:
H01L31068
IPC分类号
:
代理机构
:
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人
:
施秀瑾
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-08-28
公开
公开
2018-09-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/068 申请日:20180312
共 50 条
[1]
一种晶体硅双面太阳电池结构
[P].
高超
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高超
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周浪
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周浪
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黄海宾
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袁吉仁
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袁吉仁
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN209981254U
,2020-01-21
[2]
一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构
[P].
黄海宾
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黄海宾
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周浪
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周浪
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袁吉仁
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336155A
,2018-07-27
[3]
一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构
[P].
袁吉仁
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袁吉仁
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周浪
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周浪
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高超
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336164A
,2018-07-27
[4]
一种晶硅异质结双面太阳电池结构
[P].
袁吉仁
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袁吉仁
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周浪
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高超
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336178A
,2018-07-27
[5]
一种具有HAC-D特征的晶体硅双面太阳电池结构
[P].
黄海宾
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黄海宾
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周浪
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336156A
,2018-07-27
[6]
一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构
[P].
黄海宾
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黄海宾
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周浪
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336157A
,2018-07-27
[7]
一种异质结晶体硅双面太阳电池结构
[P].
岳之浩
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岳之浩
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高超
.
中国专利
:CN208315555U
,2019-01-01
[8]
一种异质结晶体硅双面太阳电池结构
[P].
岳之浩
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岳之浩
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周浪
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高超
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高超
.
中国专利
:CN108336159A
,2018-07-27
[9]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构
[P].
高超
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高超
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周浪
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岳之浩
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岳之浩
.
中国专利
:CN108336160A
,2018-07-27
[10]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构
[P].
高超
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高超
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周浪
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中国专利
:CN208315557U
,2019-01-01
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