一种晶体硅双面太阳电池结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810198985.1
申请日
2018-03-12
公开(公告)号
CN108461570A
公开(公告)日
2018-08-28
发明(设计)人
高超 周浪 黄海宾 袁吉仁 岳之浩
申请人
申请人地址
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
H01L31068
IPC分类号
代理机构
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人
施秀瑾
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
高超 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN209981254U ,2020-01-21
[2]
一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
黄海宾 ;
周浪 ;
袁吉仁 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336155A ,2018-07-27
[3]
一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构 [P]. 
袁吉仁 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336164A ,2018-07-27
[4]
一种晶硅异质结双面太阳电池结构 [P]. 
袁吉仁 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336178A ,2018-07-27
[5]
一种具有HAC-D特征的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
黄海宾 ;
周浪 ;
袁吉仁 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336156A ,2018-07-27
[6]
一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构 [P]. 
黄海宾 ;
周浪 ;
袁吉仁 ;
高超 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336157A ,2018-07-27
[7]
一种异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
岳之浩 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
高超 .
中国专利 :CN208315555U ,2019-01-01
[8]
一种异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
岳之浩 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
高超 .
中国专利 :CN108336159A ,2018-07-27
[9]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
高超 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN108336160A ,2018-07-27
[10]
一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 [P]. 
高超 ;
周浪 ;
黄海宾 ;
袁吉仁 ;
岳之浩 .
中国专利 :CN208315557U ,2019-01-01