一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820331031.9

申请日：

2018-03-12

公开(公告)号：

CN208315557U

公开(公告)日：

2019-01-01

发明(设计)人：

高超周浪黄海宾袁吉仁岳之浩

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310352 H01L31068

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	授权	授权
2021-02-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20180312 授权公告日:20190101 终止日期:20200312

共 50 条

[1]

一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108336160A ,2018-07-27

[2]

一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN208315579U ,2019-01-01

[3]

一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108447935A ,2018-08-24

[4]

一种晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN209981254U ,2020-01-21

[5]

一种晶体硅双面太阳电池结构 [P].

高超 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108461570A ,2018-08-28

[6]

一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

高超 .

中国专利 :CN208315556U ,2019-01-01

[7]

一种异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

高超 .

中国专利 :CN208315555U ,2019-01-01

[8]

一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

高超 .

中国专利 :CN108346707A ,2018-07-31

[9]

一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

袁吉仁 ;

高超 ;

岳之浩 .

中国专利 :CN108336155A ,2018-07-27

[10]

一种异质结晶体硅双面太阳电池结构 [P].

岳之浩 ;

周浪 ;

黄海宾 ;

袁吉仁 ;

高超 .

中国专利 :CN108336159A ,2018-07-27

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