一种载流子迁移率高的MOSFET

被引：0

申请号：

CN202123086106.2

申请日：

2021-12-09

公开(公告)号：

CN216354226U

公开(公告)日：

2022-04-19

发明(设计)人：

毛昊源

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市锡山经济技术开发区荟智企业中心凤威路2号A310

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

郭慧

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法 [P].

许亮 ;

徐庆君 ;

闫昕 .

中国专利 :CN106981427B ,2017-07-25

[2]

载流子迁移率的提取方法 [P].

许军 ;

梁仁荣 ;

王敬 .

中国专利 :CN101840458A ,2010-09-22

[3]

一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

谢欣云 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102427043A ,2012-04-25

[4]

一种改善NMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

谢欣云 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102427042B ,2012-04-25

[5]

改善器件载流子迁移率的方法 [P].

吴天承 ;

郭振强 ;

王冉阳 .

中国专利 :CN117995779A ,2024-05-07

[6]

具有高非离子载流子迁移率有机材料的应用 [P].

L·豪斯林 ;

K·H·艾茨巴哈 ;

K·西门迈耶 ;

W·保勒斯 ;

D·迈斯纳 ;

C·安东尼厄斯 ;

K·恩格尔 ;

D·哈勒 ;

S·库马 ;

P·舒马赫 .

中国专利 :CN1132416A ,1996-10-02

[7]

一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法 [P].

张冬明 ;

刘巍 .

中国专利 :CN103219287A ,2013-07-24

[8]

提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 [P].

赵德刚 ;

朱建军 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101192518A ,2008-06-04

[9]

载流子迁移率的检测装置及检测方法 [P].

王成 .

中国专利 :CN117705768A ,2024-03-15

[10]

载流子迁移率的计算方法和装置 [P].

王新 ;

高文琳 ;

母凤文 ;

郭超 .

中国专利 :CN117233568B ,2024-02-13

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