半导体的掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910047633.7

申请日：

2009-03-16

公开(公告)号：

CN101840854B

公开(公告)日：

2010-09-22

发明(设计)人：

吴永玉何学缅

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2131 H01L2128 H01L21335

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

王一斌;王琦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101014686216 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:2009100476337 申请日:20090316
2010-09-22	公开	公开
2011-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

掺杂半导体的方法 [P].

O·多尔 ;

I·克勒 ;

S·巴尔特 .

中国专利 :CN107112381A ,2017-08-29

[2]

半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法 [P].

吴永玉 ;

何学缅 ;

陈海华 ;

刘思南 .

中国专利 :CN101882574A ,2010-11-10

[3]

半导体掺杂方法 [P].

黄启敬 ;

曾清秋 .

中国专利 :CN100358113C ,2006-05-17

[4]

掺杂半导体衬底的方法 [P].

P·罗特哈特 ;

A·沃尔夫 ;

T·斯图费尔斯 ;

D·比罗 .

中国专利 :CN104662642A ,2015-05-27

[5]

掺杂半导体材料的系统和方法 [P].

里格·博梅 ;

拉尔斯·哈特维希 ;

罗比·埃伯特 ;

马赛厄斯·缪勒 .

中国专利 :CN102763194A ,2012-10-31

[6]

用于掺杂半导体材料的方法 [P].

M.福斯特 ;

E.福尔蒙德 ;

J.斯塔德勒 ;

R.艾恩豪斯 ;

H.劳夫雷 .

中国专利 :CN103119206A ,2013-05-22

[7]

超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 [P].

托马斯S·布恩 ;

埃里克S·哈蒙 ;

罗伯特D·考德尔卡 ;

戴维B·萨尔兹曼 ;

杰里M·伍德尔 .

中国专利 :CN1608310A ,2005-04-20

[8]

半导体掺杂物液体源、半导体掺杂物液体源的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

斋藤智也 .

中国专利 :CN110366771B ,2019-10-22

[9]

半导体掺杂及电阻控制法、半导体器件及其制造方法 [P].

町田晓夫 ;

碓井节夫 ;

达拉姆·P·戈塞恩 .

中国专利 :CN1251307C ,2004-03-03

[10]

制造不同掺杂的半导体的方法 [P].

C.马德 ;

C.京特 ;

J.埃尔茨 ;

S.马滕斯 ;

J.莱姆库尔 ;

S.特劳特 ;

O.旺尼克 .

中国专利 :CN106463366A ,2017-02-22

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