超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02825898.3

申请日：

2002-10-22

公开(公告)号：

CN1608310A

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

托马斯S·布恩埃里克S·哈蒙罗伯特D·考德尔卡戴维B·萨尔兹曼杰里M·伍德尔

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民;关兆辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	授权	授权
2012-12-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101368717924 IPC(主分类):H01L 21/04 专利号:ZL028258983 申请日:20021022 授权公告日:20080102 终止日期:20111022
2005-04-20	公开	公开
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

粒子半导体材料的掺杂 [P].

大卫·托马斯·布里顿 ;

马尔吉特·黑廷 .

中国专利 :CN101248222A ,2008-08-20

[2]

掺杂的有机半导体材料 [P].

安德利亚·卢克斯 ;

安斯加尓·维尔纳 ;

约瑟夫·萨尔别克 .

中国专利 :CN101356663B ,2009-01-28

[3]

掺杂半导体材料的系统和方法 [P].

里格·博梅 ;

拉尔斯·哈特维希 ;

罗比·埃伯特 ;

马赛厄斯·缪勒 .

中国专利 :CN102763194A ,2012-10-31

[4]

用于掺杂半导体材料的方法 [P].

M.福斯特 ;

E.福尔蒙德 ;

J.斯塔德勒 ;

R.艾恩豪斯 ;

H.劳夫雷 .

中国专利 :CN103119206A ,2013-05-22

[5]

基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料 [P].

刘若鹏 ;

赵治亚 ;

缪锡根 ;

杨宗荣 .

中国专利 :CN102800971B ,2012-11-28

[6]

基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料 [P].

刘若鹏 ;

赵治亚 .

中国专利 :CN102904028B ,2013-01-30

[7]

掺杂的有机半导体材料以及其制备方法 [P].

安斯加尔·维尔纳 ;

梅尔廷·普法伊费尔 ;

托尔斯滕·弗里茨 ;

卡尔·利奥 .

中国专利 :CN1698137B ,2005-11-16

[8]

掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法 [P].

安斯加尔·维尔纳 ;

李枫红 ;

马丁·普法伊费尔 .

中国专利 :CN100418246C ,2005-03-09

[9]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

[10]

半导体材料和形成半导体材料的方法 [P].

D·奇丹巴尔拉奥 ;

O·H·多库马奇 ;

O·格卢斯陈克夫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100388415C ,2005-12-07

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