掺杂的有机半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680050740.X

申请日：

2006-11-10

公开(公告)号：

CN101356663B

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

安德利亚·卢克斯安斯加尓·维尔纳约瑟夫·萨尔别克

申请人：

申请人地址：

德国德雷斯顿

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

车文;郑立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-28	公开	公开
2010-09-01	授权	授权

共 50 条

[1]

包括p掺杂有机半导体的电子元件 [P].

穆罕麦德·本卡利法 ;

戴维·沃弗里 .

中国专利 :CN101405890A ,2009-04-08

[2]

金属配合物作为p-掺杂剂用于有机半导体基质材料、有机半导体材料和有机发光二极管的用途 [P].

G·斯米德 ;

R·克劳塞 .

中国专利 :CN101785127A ,2010-07-21

[3]

包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件 [P].

卡斯滕·洛特 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

维金塔斯·扬库什 ;

金亨宣 ;

金炳求 .

中国专利 :CN107978683B ,2018-05-01

[4]

N型有机半导体材料 [P].

叶树堂 ;

沈国晖 ;

黄贺隆 .

中国专利 :CN1990488A ,2007-07-04

[5]

电掺杂有机半导体材料和包含它的有机发光器件 [P].

迈克·策尔纳 ;

欧姆莱恩·法德尔 ;

乌尔里希·登克尔 .

中国专利 :CN106663746A8 ,2017-05-10

[6]

掺杂有机半导体薄膜的制造方法 [P].

张宰荣 ;

徐仪显 ;

李泽成 .

韩国专利 :CN120202748A ,2025-06-24

[7]

一种有机半导体空穴传输材料 [P].

李晓常 ;

吴江 .

中国专利 :CN103956436A ,2014-07-30

[8]

掺杂的有机半导体材料以及其制备方法 [P].

安斯加尔·维尔纳 ;

梅尔廷·普法伊费尔 ;

托尔斯滕·弗里茨 ;

卡尔·利奥 .

中国专利 :CN1698137B ,2005-11-16

[9]

一种稳定易加工有机半导体材料及其有机发光器件应用 [P].

李晓常 ;

殷正凯 ;

郝望龙 .

中国专利 :CN107221611A ,2017-09-29

[10]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

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