N型有机半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510137547.7

申请日：

2005-12-30

公开(公告)号：

CN1990488A

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

叶树堂沈国晖黄贺隆

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

C07D47104

IPC分类号：

H01L5130 H01L5146 H01L5154

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

封新琴;巫肖南

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C07D 471/04 申请日:20051230 授权公告日:20091209 终止日期:20181230
2007-07-04	公开	公开
2009-12-09	授权	授权
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-23	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003178233 IPC(主分类):C07D 471/04 专利申请号:2005101375477 变更事项:发明人变更前:叶树堂;沈国晖;黄贺隆变更后:叶树棠;沈国晖;黄贺隆

共 50 条

[1]

一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法 [P].

王海 ;

邹涛隅 ;

聂陟枫 ;

段良飞 ;

何云飞 ;

宋玉敏 ;

郭婷婷 ;

常佳伟 ;

陈秋园 .

中国专利 :CN111087404A ,2020-05-01

[2]

有机半导体材料中间体的合成方法及其应用 [P].

秦瑞平 ;

郭得恩 ;

胡梁浩 ;

杨纪恩 ;

蒋玉荣 .

中国专利 :CN111138453B ,2020-05-12

[3]

掺杂的有机半导体材料 [P].

安德利亚·卢克斯 ;

安斯加尓·维尔纳 ;

约瑟夫·萨尔别克 .

中国专利 :CN101356663B ,2009-01-28

[4]

有机半导体 [P].

格雷厄姆·莫尔斯 ;

阿格尼兹卡·普隆 ;

塞巴斯蒂安·科瓦尔斯基 ;

普里蒂·蒂瓦纳 ;

乔纳森·斯诺 ;

谭丽薇 .

中国专利 :CN113631627A ,2021-11-09

[5]

有机半导体 [P].

侯剑辉 ;

安存彬 ;

G·莫斯 ;

A·普罗恩 ;

I·比尔格斯 .

中国专利 :CN112424966A ,2021-02-26

[6]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[7]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[8]

有机半导体材料 [P].

尾坂格 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN103703583A ,2014-04-02

[9]

包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件 [P].

卡斯滕·洛特 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

维金塔斯·扬库什 ;

金亨宣 ;

金炳求 .

中国专利 :CN107978683B ,2018-05-01

[10]

有机半导体材料和半导体器件 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 .

中国专利 :CN101335331A ,2008-12-31

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