掺杂有机半导体薄膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380079924.2

申请日：

2023-09-15

公开(公告)号：

CN120202748A

公开(公告)日：

2025-06-24

发明(设计)人：

张宰荣徐仪显李泽成

申请人：

汉阳大学校产学协力团

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H10K71/15

IPC分类号：

H10K85/60 H10K71/00

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

李凤蓉;马爽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-24	公开	公开
2025-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 71/15申请日:20230915

共 50 条

[1]

有机半导体薄膜的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

添田淳史 .

中国专利 :CN105144417B ,2015-12-09

[2]

有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法 [P].

长谷川达生 ;

峰回洋美 ;

山田寿一 ;

松井弘之 .

中国专利 :CN103069555A ,2013-04-24

[3]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[4]

有机半导体薄膜的形成方法及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

野元章裕 .

中国专利 :CN101640252B ,2010-02-03

[5]

有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管 [P].

市川结 ;

全现九 ;

小熊尚实 ;

平田直毅 ;

河野寿夫 .

中国专利 :CN103081149A ,2013-05-01

[6]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[7]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[8]

有机半导体薄膜制造方法 [P].

上田裕清 ;

三崎雅裕 ;

滨田雅裕 ;

贞光雄一 .

中国专利 :CN105122492A ,2015-12-02

[9]

有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法 [P].

酒井正俊 ;

工藤一浩 ;

贞光雄一 .

中国专利 :CN106796987B ,2017-05-31

[10]

有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管 [P].

中山健一 ;

城户淳二 ;

夫勇进 ;

桥本洋平 ;

小熊尚实 ;

平田直毅 .

中国专利 :CN102422449B ,2012-04-18

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