包括p掺杂有机半导体的电子元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780007117.0

申请日：

2007-02-28

公开(公告)号：

CN101405890A

公开(公告)日：

2009-04-08

发明(设计)人：

穆罕麦德·本卡利法戴维·沃弗里

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

H01L5152

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	公开	公开
2011-02-09	授权	授权
2009-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

掺杂的有机半导体材料 [P].

安德利亚·卢克斯 ;

安斯加尓·维尔纳 ;

约瑟夫·萨尔别克 .

中国专利 :CN101356663B ,2009-01-28

[2]

有机基体材料在生产有机半导体材料中的应用，有机半导体材料以及电子元件 [P].

普法伊费尔·马丁 ;

布洛赫维茨－尼莫斯·简 ;

勒克斯·安德烈娅 ;

萨尔别克·约瑟夫 .

中国专利 :CN1734806A ,2006-02-15

[3]

包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件 [P].

卡斯滕·洛特 ;

多玛果伊·帕维奇科 ;

杰罗姆·加尼耶 ;

维金塔斯·扬库什 ;

金亨宣 ;

金炳求 .

中国专利 :CN107978683B ,2018-05-01

[4]

金属配合物作为p-掺杂剂用于有机半导体基质材料、有机半导体材料和有机发光二极管的用途 [P].

G·斯米德 ;

R·克劳塞 .

中国专利 :CN101785127A ,2010-07-21

[5]

有机光电子元件 [P].

服部繁树 ;

阿部岳文 ;

鹤冈薫 ;

桑名保宏 ;

横山大辅 .

中国专利 :CN111033784A ,2020-04-17

[6]

有机光电子元件 [P].

阿部岳文 ;

桑名保宏 ;

服部繁树 ;

鹤冈薫 ;

横山大辅 .

中国专利 :CN111033785A ,2020-04-17

[7]

半导体电子元件的封装方法 [P].

P·拉塞尔 ;

塞瑞·莱贝 ;

C·杜切尼 .

中国专利 :CN102263040B ,2011-11-30

[8]

掺杂有机半导体薄膜的制造方法 [P].

张宰荣 ;

徐仪显 ;

李泽成 .

韩国专利 :CN120202748A ,2025-06-24

[9]

半导体基板、半导体元件、发光元件以及电子元件 [P].

藤冈洋 .

中国专利 :CN101952984A ,2011-01-19

[10]

用于n掺杂有机电子元件中电子传输层的材料 [P].

安德烈亚斯·卡尼茨 .

中国专利 :CN101263147A ,2008-09-10

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