基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110145760.8

申请日：

2011-06-01

公开(公告)号：

CN102800971B

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

刘若鹏赵治亚缪锡根杨宗荣

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦

IPC主分类号：

H01Q1500

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383321785 IPC(主分类):H01Q 15/00 专利申请号:2011101457608 申请日:20110601
2014-11-26	授权	授权
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料 [P].

刘若鹏 ;

赵治亚 .

中国专利 :CN102904028B ,2013-01-30

[2]

超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件 [P].

托马斯S·布恩 ;

埃里克S·哈蒙 ;

罗伯特D·考德尔卡 ;

戴维B·萨尔兹曼 ;

杰里M·伍德尔 .

中国专利 :CN1608310A ,2005-04-20

[3]

半导体材料和形成半导体材料的方法 [P].

D·奇丹巴尔拉奥 ;

O·H·多库马奇 ;

O·格卢斯陈克夫 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100388415C ,2005-12-07

[4]

超硬半导体材料抛光方法 [P].

黄维 ;

王乐星 ;

庄击勇 ;

陈辉 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103506928A ,2014-01-15

[5]

半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物 [P].

托马斯·斯坦内特 .

德国专利 :CN119836865A ,2025-04-15

[6]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

日本专利 :CN111952352B ,2025-02-21

[7]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

中国专利 :CN111816694A ,2020-10-23

[8]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

日本专利 :CN111816694B ,2025-04-18

[9]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

中国专利 :CN111952352A ,2020-11-17

[10]

超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN113539830A ,2021-10-22

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