超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010107098.6
申请日
2020-02-21
公开(公告)号
CN111816694A
公开(公告)日
2020-10-23
发明(设计)人
坂田敏明
申请人
申请人地址
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978 H01L21336
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
杨敏;金玉兰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
坂田敏明 .
日本专利 :CN111816694B ,2025-04-18
[2]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 ;
前田凉 ;
菅井勇 .
日本专利 :CN111952352B ,2025-02-21
[3]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 ;
前田凉 ;
菅井勇 .
中国专利 :CN111952352A ,2020-11-17
[4]
超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 .
中国专利 :CN113539830A ,2021-10-22
[5]
超结碳化硅半导体装置及超结碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
小林勇介 ;
武井学 ;
京极真也 ;
原田信介 .
中国专利 :CN112655096A ,2021-04-13
[6]
超结半导体装置 [P]. 
曹大为 ;
大西泰彦 .
中国专利 :CN103650141B ,2014-03-19
[7]
超结型半导体装置及其制造方法 [P]. 
李光远 ;
姜惠民 ;
李在吉 .
中国专利 :CN106469759A ,2017-03-01
[8]
超结半导体器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
谢刚 ;
何志 .
中国专利 :CN104183626A ,2014-12-03
[9]
超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P]. 
赵勇 ;
廖巍 .
中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04
[10]
具有超结的半导体装置及其制造方法 [P]. 
李在吉 ;
金镇明 ;
李光远 ;
金耕德 ;
张浩铁 .
中国专利 :CN102800701A ,2012-11-28