超结半导体器件的终端结构及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410411626.1
申请日
2014-08-20
公开(公告)号
CN104183626A
公开(公告)日
2014-12-03
发明(设计)人
谢刚 何志
申请人
申请人地址
528226 广东省佛山市南海区广东新光源产业基地核心区A区7座302
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2102
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
具有新型终端结构的超结半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱袁正 ;
李宗青 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN102623504A ,2012-08-01
[2]
具有新型终端结构的超结半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
李宗青 ;
叶鹏 .
中国专利 :CN202534652U ,2012-11-14
[3]
超结半导体器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
高文玉 ;
陶有飞 ;
徐雷军 ;
刘启星 .
中国专利 :CN104952910A ,2015-09-30
[4]
超结半导体器件及其制造方法 [P]. 
童亮 .
中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13
[5]
超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P]. 
赵勇 ;
廖巍 .
中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04
[6]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 ;
前田凉 ;
菅井勇 .
日本专利 :CN111952352B ,2025-02-21
[7]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 ;
前田凉 ;
菅井勇 .
中国专利 :CN111952352A ,2020-11-17
[8]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
坂田敏明 .
中国专利 :CN111816694A ,2020-10-23
[9]
超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
坂田敏明 .
日本专利 :CN111816694B ,2025-04-18
[10]
超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法 [P]. 
西村武义 .
中国专利 :CN113539830A ,2021-10-22