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超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110193168.9
申请日：
2021-02-20
公开(公告)号：
CN113539830A
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
西村武义
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2906
H01L2978
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周春燕;金玉兰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-01-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210220 |
| 2021-10-22 | 公开 | 公开 |