超结型半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610697546.6

申请日：

2016-08-19

公开(公告)号：

CN106469759A

公开(公告)日：

2017-03-01

发明(设计)人：

李光远姜惠民李在吉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

陈鹏;王侠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160819
2021-09-10	授权	授权
2017-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

日本专利 :CN111952352B ,2025-02-21

[2]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

中国专利 :CN111952352A ,2020-11-17

[3]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

中国专利 :CN111816694A ,2020-10-23

[4]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

日本专利 :CN111816694B ,2025-04-18

[5]

超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN113539830A ,2021-10-22

[6]

结型半导体装置及其制造方法 [P].

野中贤一 ;

桥本英喜 ;

横山诚一 ;

岩永健介 ;

齐藤吉三 .

中国专利 :CN1838435A ,2006-09-27

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[8]

具有超结的半导体装置及其制造方法 [P].

李在吉 ;

金镇明 ;

李光远 ;

金耕德 ;

张浩铁 .

中国专利 :CN102800701A ,2012-11-28

[9]

超结碳化硅半导体装置及超结碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

小林勇介 ;

武井学 ;

京极真也 ;

原田信介 .

中国专利 :CN112655096A ,2021-04-13

[10]

结型半导体装置的制造方法 [P].

野中贤一 ;

桥本英喜 ;

横山诚一 ;

岩永健介 ;

齐藤吉三 ;

岩黑弘明 ;

清水正章 ;

福田祐介 ;

西川恒一 ;

前山雄介 .

中国专利 :CN100499051C ,2006-09-27

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