结型半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610065382.1

申请日：

2006-03-23

公开(公告)号：

CN100499051C

公开(公告)日：

2006-09-27

发明(设计)人：

野中贤一桥本英喜横山诚一岩永健介齐藤吉三岩黑弘明清水正章福田祐介西川恒一前山雄介

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21337

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄纶伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	授权	授权
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609139631 IPC(主分类):H01L 21/337 专利号:ZL2006100653821 申请日:20060323 授权公告日:20090610 终止日期:20140323
2006-09-27	公开	公开
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

结型半导体装置及其制造方法 [P].

野中贤一 ;

桥本英喜 ;

横山诚一 ;

岩永健介 ;

齐藤吉三 .

中国专利 :CN1838435A ,2006-09-27

[2]

超结型半导体装置及其制造方法 [P].

李光远 ;

姜惠民 ;

李在吉 .

中国专利 :CN106469759A ,2017-03-01

[3]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

日本专利 :CN111952352B ,2025-02-21

[4]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 ;

前田凉 ;

菅井勇 .

中国专利 :CN111952352A ,2020-11-17

[5]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

中国专利 :CN111816694A ,2020-10-23

[6]

超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

日本专利 :CN111816694B ,2025-04-18

[7]

异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法 [P].

大川峰司 .

中国专利 :CN106169507B ,2016-11-30

[8]

超结半导体装置以及超结半导体装置的制造方法 [P].

西村武义 .

中国专利 :CN113539830A ,2021-10-22

[9]

半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置 [P].

朝日升 ;

野中敏央 ;

新关彰一 .

中国专利 :CN104145328A ,2014-11-12

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

星保幸 ;

原田祐一 ;

椎木崇 .

中国专利 :CN107408575A ,2017-11-28

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