具有新型终端结构的超结半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220126492.5

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN202534652U

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

朱袁正李宗青叶鹏

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡（滨湖）国家传感信息中心启航大厦8楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661352329 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2012201264925 申请日:20120329 授权公告日:20121114 终止日期:20150329
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101559993662 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2012201264925 变更事项:专利权人变更前权利人:无锡新洁能功率半导体有限公司变更后权利人:无锡新洁能股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层登记生效日:20130312
2012-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

具有新型终端结构的超结半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102623504A ,2012-08-01

[2]

超结半导体器件的终端结构及其制造方法 [P].

谢刚 ;

何志 .

中国专利 :CN104183626A ,2014-12-03

[3]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 .

中国专利 :CN202423296U ,2012-09-05

[4]

超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件 [P].

赵勇 ;

廖巍 .

中国专利 :CN120897493A ,2025-11-04

[5]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN201673912U ,2010-12-15

[6]

一种具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202042487U ,2011-11-16

[7]

具有终端保护区的超结半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN206471335U ,2017-09-05

[8]

半导体器件结终端结构 [P].

蒲奎 .

中国专利 :CN102130150A ,2011-07-20

[9]

具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件 [P].

刘继全 ;

谢烜 .

中国专利 :CN102315247A ,2012-01-11

[10]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

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