具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010221589.X

申请日：

2010-07-08

公开(公告)号：

CN102315247A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

刘继全谢烜

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194111548 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:201010221589X 申请日:20100708
2013-04-24	授权	授权
2012-01-11	公开	公开
2014-01-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684694888 IPC(主分类):H01L 29/06 专利号:ZL201010221589X 变更事项:专利权人变更前:上海华虹NEC电子有限公司变更后:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

共 50 条

[1]

沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端 [P].

左义忠 ;

杨寿国 ;

贾国 ;

高宏伟 ;

李延庆 .

中国专利 :CN204243047U ,2015-04-01

[2]

半导体器件结终端结构 [P].

蒲奎 .

中国专利 :CN102130150A ,2011-07-20

[3]

一种功率半导体器件超级结终端结构 [P].

朱春林 ;

王亚飞 ;

王彦刚 ;

覃荣震 ;

戴小平 ;

罗海辉 ;

刘国友 .

中国专利 :CN111244151A ,2020-06-05

[4]

具有沟槽边缘终端结构的半导体器件 [P].

齐亚·侯赛因 .

中国专利 :CN101241933A ,2008-08-13

[5]

具有超级结的半导体器件 [P].

利田祐麻 ;

榊原纯 ;

山口仁 .

中国专利 :CN101465370A ,2009-06-24

[6]

具沟槽型终端结构的超级结MOSFET结构及制备方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN103050535A ,2013-04-17

[7]

具有屏蔽栅沟槽结构的超级结半导体功率器件 [P].

陈兵 ;

田园农 ;

顾志国 ;

王义辉 .

中国专利 :CN115425083B ,2024-05-17

[8]

具有屏蔽栅沟槽结构的超级结半导体功率器件 [P].

陈兵 ;

田园农 ;

顾志国 ;

王义辉 .

中国专利 :CN115425083A ,2022-12-02

[9]

包含具有超级结的沟槽MOSFET的半导体器件 [P].

苏库·金 .

中国专利 :CN102163622B ,2011-08-24

[10]

具有新型终端结构的超结半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202534652U ,2012-11-14

← 1 2 3 4 5 →