沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420660458.5

申请日：

2014-11-03

公开(公告)号：

CN204243047U

公开(公告)日：

2015-04-01

发明(设计)人：

左义忠杨寿国贾国高宏伟李延庆

申请人：

申请人地址：

132013 吉林省吉林市深圳街99号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

长春菁华专利商标代理事务所 22210

代理人：

陶尊新

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

超级结半导体器件 [P].

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN204289463U ,2015-04-22

[2]

具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件 [P].

刘继全 ;

谢烜 .

中国专利 :CN102315247A ,2012-01-11

[3]

超级结半导体器件 [P].

禹赫 ;

金大柄 ;

崔彰容 ;

姜棋太 ;

全珖延 ;

赵文秀 ;

权纯琢 .

中国专利 :CN105280688A ,2016-01-27

[4]

超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件 [P].

孙建国 ;

高宏伟 ;

左义忠 ;

刘维 ;

石一 .

中国专利 :CN120500066A ,2025-08-15

[5]

超级结半导体器件制作 [P].

列扎·甘迪 ;

亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫 ;

彼得·阿尔默恩·洛斯 ;

戴维·阿兰·利林菲尔德 .

中国专利 :CN113412544A ,2021-09-17

[6]

具有超级结的半导体器件 [P].

利田祐麻 ;

榊原纯 ;

山口仁 .

中国专利 :CN101465370A ,2009-06-24

[7]

包含具有超级结的沟槽MOSFET的半导体器件 [P].

苏库·金 .

中国专利 :CN102163622B ,2011-08-24

[8]

超级结半导体器件制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN104517855A ,2015-04-15

[9]

超级结半导体器件制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN104517853A ,2015-04-15

[10]

超级结半导体器件的制造方法 [P].

大井明彦 ;

岩谷将伸 ;

矢嵨理子 ;

栗林均 .

中国专利 :CN102194701A ,2011-09-21

← 1 2 3 4 5 →