超级结半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510412322.1
申请日
2015-07-14
公开(公告)号
CN105280688A
公开(公告)日
2016-01-27
发明(设计)人
禹赫 金大柄 崔彰容 姜棋太 全珖延 赵文秀 权纯琢
申请人
申请人地址
韩国忠清北道清州市
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
王兆赓;张云珠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
超级结半导体器件 [P]. 
朱超群 ;
陈宇 .
中国专利 :CN204289463U ,2015-04-22
[2]
超级结半导体器件制作 [P]. 
列扎·甘迪 ;
亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫 ;
彼得·阿尔默恩·洛斯 ;
戴维·阿兰·利林菲尔德 .
中国专利 :CN113412544A ,2021-09-17
[3]
超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件 [P]. 
孙建国 ;
高宏伟 ;
左义忠 ;
刘维 ;
石一 .
中国专利 :CN120500066A ,2025-08-15
[4]
具有超级结的半导体器件 [P]. 
利田祐麻 ;
榊原纯 ;
山口仁 .
中国专利 :CN101465370A ,2009-06-24
[5]
超级结半导体器件制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN104517855A ,2015-04-15
[6]
超级结半导体器件制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN104517853A ,2015-04-15
[7]
沟槽超级结半导体器件的正交超级结拐角终端 [P]. 
左义忠 ;
杨寿国 ;
贾国 ;
高宏伟 ;
李延庆 .
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[8]
超级结半导体器件的制造方法 [P]. 
大井明彦 ;
岩谷将伸 ;
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[9]
超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
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[10]
超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
韩峰 .
中国专利 :CN103022123B ,2013-04-03