超级结半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110058206.6
申请日
2011-03-08
公开(公告)号
CN102194701A
公开(公告)日
2011-09-21
发明(设计)人
大井明彦 岩谷将伸 矢嵨理子 栗林均
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L21265
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN102214561A ,2011-10-12
[2]
超级结半导体器件制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN104517855A ,2015-04-15
[3]
超级结半导体器件制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN104517853A ,2015-04-15
[4]
超级结半导体器件的制造方法 [P]. 
矢嶋理子 .
中国专利 :CN102194700A ,2011-09-21
[5]
超级结半导体器件 [P]. 
朱超群 ;
陈宇 .
中国专利 :CN204289463U ,2015-04-22
[6]
超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 ;
韩峰 .
中国专利 :CN103022123B ,2013-04-03
[7]
一种超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚国亮 ;
乔明 .
中国专利 :CN119108432A ,2024-12-10
[8]
一种超级结半导体器件及其制造方法 [P]. 
姚国亮 ;
乔明 .
中国专利 :CN119108432B ,2025-03-14
[9]
超级结半导体器件的制作方法及超级结半导体器件 [P]. 
孙建国 ;
高宏伟 ;
左义忠 ;
刘维 ;
石一 .
中国专利 :CN120500066A ,2025-08-15
[10]
具有超级结的半导体器件 [P]. 
利田祐麻 ;
榊原纯 ;
山口仁 .
中国专利 :CN101465370A ,2009-06-24