具沟槽型终端结构的超级结MOSFET结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210301039.8

申请日：

2012-08-22

公开(公告)号：

CN103050535A

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

刘继全

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457123675 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012103010398 申请日:20120822
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691489303 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012103010398 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140115
2016-04-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731031015 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012103010398 申请公布日:20130417
2013-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

超级结MOSFET结构及制备方法、MOSFET器件 [P].

费磊 ;

姚力军 ;

郭付成 ;

边逸军 ;

左万胜 .

中国专利 :CN119730340A ,2025-03-28

[2]

具有沟槽型终端结构的超级结半导体器件 [P].

刘继全 ;

谢烜 .

中国专利 :CN102315247A ,2012-01-11

[3]

沟槽超结MOSFET的终端结构及工艺方法 [P].

李东升 ;

马彪 ;

高伟 .

中国专利 :CN119743990A ,2025-04-01

[4]

超级结MOSFET器件的结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN104638004A ,2015-05-20

[5]

超级结沟槽栅终端结构及其制备方法 [P].

田甜 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN115394836A ,2022-11-25

[6]

沟槽型超级结的制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN105551966B ,2018-08-21

[7]

沟槽型超级结器件的超级结结构 [P].

王飞 .

中国专利 :CN105140268B ,2015-12-09

[8]

一种超级结终端结构及制造方法 [P].

任敏 ;

聂楠 ;

骆玉楚 ;

陶冶 ;

刘思为 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN121218664A ,2025-12-26

[9]

超结MOSFET单结终端结构 [P].

白玉明 ;

徐承福 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206650083U ,2017-11-17

[10]

沟槽型超级结器件的制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN105655385B ,2016-06-08

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