超级结沟槽栅终端结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211134794.1

申请日：

2022-09-19

公开(公告)号：

CN115394836A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

田甜许昭昭

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220919
2022-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

具沟槽型终端结构的超级结MOSFET结构及制备方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN103050535A ,2013-04-17

[2]

沟槽栅超结MOS结构及制备方法 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN119133251A ,2024-12-13

[3]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[4]

具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

孙腾飞 ;

元磊 ;

汤晓燕 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106653827A ,2017-05-10

[5]

沟槽栅超结MOS结构 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN223219399U ,2025-08-12

[6]

一种超级结器件终端结构及其制备方法 [P].

温建功 ;

杨乐 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

郑丽君 ;

尚秋晨 .

中国专利 :CN119342871A ,2025-01-21

[7]

屏蔽栅沟槽VDMOS终端结构及其制造方法 [P].

单亚东 ;

谢刚 ;

胡丹 .

中国专利 :CN118156306A ,2024-06-07

[8]

超级结器件终端结构 [P].

胡晓明 .

中国专利 :CN103050508B ,2013-04-17

[9]

沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN104617133B ,2015-05-13

[10]

超级结器件的终端结构及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN110752253B ,2024-01-19

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