具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611224502.8

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN106653827A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

宋庆文孙腾飞元磊汤晓燕张艺蒙张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2912

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

潘宏伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20170510
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724564449 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2016112245028 申请日:20161227
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

元磊 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106783957A ,2017-05-31

[2]

具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

韩超 ;

孔龙龙 ;

王婷钰 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN111146273B ,2020-05-12

[3]

结终端扩展终端结构的制备方法及结构 [P].

韩超 ;

王莎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

郭辉 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN107591324A ,2018-01-16

[4]

结终端扩展终端结构 [P].

韩超 ;

王莎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

郭辉 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN207068861U ,2018-03-02

[5]

结终端扩展结构及其制备方法、功率器件 [P].

岳瑞峰 ;

耿立新 ;

王燕 .

中国专利 :CN119208357A ,2024-12-27

[6]

浅沟槽结终端扩展结构 [P].

伍伟 ;

向勇 ;

孔晓李 ;

孔梓玮 ;

薛鹏 .

中国专利 :CN105405869A ,2016-03-16

[7]

具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构及制备方法 [P].

宋庆文 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

元磊 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106783956A ,2017-05-31

[8]

结终端扩展结构制备方法及结终端扩展结构、VDMOS功率器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107369620A ,2017-11-21

[9]

高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法 [P].

邓小川 ;

陶梦玲 ;

吴昊 ;

刘瑞 ;

姜春艳 ;

严静融 ;

张波 .

中国专利 :CN113053997B ,2021-06-29

[10]

硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法 [P].

高云斌 ;

柯行飞 ;

邓东浩 ;

靳宇 ;

李道会 .

中国专利 :CN117712022A ,2024-03-15

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