结终端扩展终端结构的制备方法及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710738612.4

申请日：

2017-08-24

公开(公告)号：

CN107591324A

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

韩超王莎张玉明汤晓燕郭辉宋庆文

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L29861 H01L2906

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/329 申请公布日:20180116
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20170824
2018-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

结终端扩展终端结构 [P].

韩超 ;

王莎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

郭辉 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN207068861U ,2018-03-02

[2]

具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

孙腾飞 ;

元磊 ;

汤晓燕 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106653827A ,2017-05-10

[3]

碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

元磊 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106783957A ,2017-05-31

[4]

结终端扩展结构制备方法及结终端扩展结构、VDMOS功率器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107369620A ,2017-11-21

[5]

具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

韩超 ;

孔龙龙 ;

王婷钰 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN111146273B ,2020-05-12

[6]

结终端扩展结构及其制备方法、功率器件 [P].

岳瑞峰 ;

耿立新 ;

王燕 .

中国专利 :CN119208357A ,2024-12-27

[7]

结终端扩展结构及该结构的制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106252384A ,2016-12-21

[8]

浅沟槽结终端扩展结构 [P].

伍伟 ;

向勇 ;

孔晓李 ;

孔梓玮 ;

薛鹏 .

中国专利 :CN105405869A ,2016-03-16

[9]

硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法 [P].

高云斌 ;

柯行飞 ;

邓东浩 ;

靳宇 ;

李道会 .

中国专利 :CN117712022A ,2024-03-15

[10]

结终端结构及其制备方法 [P].

李巍 ;

路鹏 ;

张新 ;

钟圣荣 ;

邓小社 .

中国专利 :CN111341832A ,2020-06-26

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