浅沟槽结终端扩展结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510830188.7

申请日：

2015-11-25

公开(公告)号：

CN105405869A

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

伍伟向勇孔晓李孔梓玮薛鹏

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L29739

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655081975 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015108301887 申请日:20151125
2016-03-16	公开	公开
2019-04-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20160316

共 50 条

[1]

结终端扩展终端结构 [P].

韩超 ;

王莎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

郭辉 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN207068861U ,2018-03-02

[2]

具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

孙腾飞 ;

元磊 ;

汤晓燕 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106653827A ,2017-05-10

[3]

结终端扩展结构制备方法及结终端扩展结构、VDMOS功率器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107369620A ,2017-11-21

[4]

碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法 [P].

宋庆文 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

元磊 ;

张艺蒙 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106783957A ,2017-05-31

[5]

浅沟槽隔离结构 [P].

宛伟 .

中国专利 :CN208706616U ,2019-04-05

[6]

结终端扩展终端结构的制备方法及结构 [P].

韩超 ;

王莎 ;

张玉明 ;

汤晓燕 ;

郭辉 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN107591324A ,2018-01-16

[7]

硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法 [P].

高云斌 ;

柯行飞 ;

邓东浩 ;

靳宇 ;

李道会 .

中国专利 :CN117712022A ,2024-03-15

[8]

面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构 [P].

岳瑞峰 ;

杨同同 ;

王燕 .

中国专利 :CN114551569A ,2022-05-27

[9]

浅沟槽隔离结构 [P].

穆天蕾 .

中国专利 :CN209045527U ,2019-06-28

[10]

浅沟槽隔离结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208903993U ,2019-05-24

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