面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构

被引：0

申请号：

CN202210121620.5

申请日：

2022-02-09

公开(公告)号：

CN114551569A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

岳瑞峰杨同同王燕

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2916

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

黄德海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	公开	公开
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220209

共 50 条

[1]

高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法 [P].

邓小川 ;

陶梦玲 ;

吴昊 ;

刘瑞 ;

姜春艳 ;

严静融 ;

张波 .

中国专利 :CN113053997B ,2021-06-29

[2]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

[3]

碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25

[4]

面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构 [P].

岳瑞峰 ;

邹骁 ;

王燕 .

中国专利 :CN105932046B ,2016-09-07

[5]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25

[6]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19

[7]

碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19

[8]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

邓小川 ;

柏思宇 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

张波 .

中国专利 :CN105977310A ,2016-09-28

[9]

沟槽型碳化硅肖特基功率器件 [P].

周炳 .

中国专利 :CN102184971A ,2011-09-14

[10]

碳化硅功率器件终端结构的制造方法 [P].

颜世桃 ;

郑渚 ;

杨彬 ;

李程 ;

丁庆 .

中国专利 :CN108447896B ,2018-08-24

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