沟槽型碳化硅肖特基功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110083281.8

申请日：

2011-04-02

公开(公告)号：

CN102184971A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

周炳

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区(国泰北路1号留学生创业园B栋)

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L29417

代理机构：

北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249

代理人：

夏晏平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	公开	公开
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101167109970 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2011100832818 申请日:20110402
2014-05-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700596981 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2011100832818 申请公布日:20110914

共 50 条

[1]

沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

张鹏 ;

冯尹 .

中国专利 :CN117542893A ,2024-02-09

[2]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[3]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[4]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[5]

沟槽型碳化硅器件及其制造方法 [P].

杨海锋 ;

陈志勇 ;

维平达斯·帕拉 ;

乔伊·迈克格雷格 ;

姚泽强 .

中国专利 :CN115602732A ,2023-01-13

[6]

一种双沟槽型碳化硅MOSFET器件 [P].

孙响 ;

俞承吟 ;

章璧怡 ;

张腾飞 ;

周莉 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN222126520U ,2024-12-06

[7]

一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 [P].

尹储 ;

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN119486229A ,2025-02-18

[8]

一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 [P].

尹储 ;

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN119486229B ,2025-04-08

[9]

碳化硅肖特基半导体器件 [P].

林苡任 ;

史波 ;

陈道坤 ;

曾丹 .

中国专利 :CN212625590U ,2021-02-26

[10]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

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