一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510068198.5

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN119486229B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

尹储朱洋洋张朝阳陈桥梁徐西昌

申请人：

旭矽半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄3号3层01单元

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/13 H10D30/63 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

辛菲

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250116
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 [P].

尹储 ;

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN119486229A ,2025-02-18

[2]

沟槽型碳化硅肖特基功率器件 [P].

周炳 .

中国专利 :CN102184971A ,2011-09-14

[3]

一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN115132847A ,2022-09-30

[4]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[5]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[6]

沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法 [P].

张鹏 ;

冯尹 .

中国专利 :CN117542893A ,2024-02-09

[7]

沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

郑垠植 ;

金埈铉 ;

金禹泽 ;

朴兌洙 ;

杨昌宪 ;

金成洙 ;

朴镕浦 .

中国专利 :CN107437557A ,2017-12-05

[8]

一种碳化硅功率器件及其制备方法 [P].

李俊 .

中国专利 :CN119967836A ,2025-05-09

[9]

一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN120529619A ,2025-08-22

[10]

一种碳化硅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN120529619B ,2025-10-17

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